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標(biāo)簽 > SiC MOSFET
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驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(七)——自舉電源在5kW交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱PFC應(yīng)用
隨著功率半導(dǎo)體IGBT,SiCMOSFET技術(shù)的發(fā)展和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)化,電平位移驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用場(chǎ...
2025-03-24 標(biāo)簽:電源電路設(shè)計(jì)PFC 1015 0
SiC MOSFET在3-kW LLC變換器設(shè)計(jì)中的優(yōu)勢(shì)
使用寬帶隙半導(dǎo)體材料(如碳化硅或氮化鎵)制造的電源開關(guān)現(xiàn)在在電力變換器中得到了廣泛應(yīng)用。SiC晶體管的高速開關(guān)特性以及低反向恢復(fù)電荷,...
2025-03-21 標(biāo)簽:電源開關(guān)LLC變換器SiC MOSFET 175 0
為了驗(yàn)證抑制電路的效果,將抑制電路單獨(dú)安裝在SiC MOSFET(SCT3040KR)的驅(qū)動(dòng)電路上并觀察了其波形。下面是所用SiC MOSFET的外觀和...
2024-01-26 標(biāo)簽:電容器驅(qū)動(dòng)電路電壓浪涌 625 0
SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 標(biāo)簽:SiC驅(qū)動(dòng)電壓SiC MOSFET 2405 0
芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測(cè)和絕緣監(jiān)測(cè)。該應(yīng)用場(chǎng)景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼...
2023-08-16 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC MOSFET 681 0
Model-Y Drive Unit的主要改進(jìn): 不再使用泄放電阻(可能使用電機(jī)繞組對(duì)母線電容放電); 使用本地隔離偏置為柵極驅(qū)動(dòng)器電路供電,以降低.....
新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測(cè)技術(shù)研究
提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測(cè)電路,設(shè)計(jì)了兼具結(jié)溫監(jiān)測(cè)功能的驅(qū)動(dòng)電路,...
一文詳解功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)方案
通過對(duì)現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻(xiàn)的總結(jié),從器件封裝結(jié)構(gòu)散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。
2023-04-26 標(biāo)簽:pcb半導(dǎo)體技術(shù)功率器件 1890 0
典型車用IGBT芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)解析
Sic MOSFET的正柵壓目前已經(jīng)于Si IGBT相當(dāng)(+15V) ,但負(fù)柵壓仍有很大差別(-5V) ,Sic MOSFET開關(guān)速度快引起的EMII問.....
1200 V,80 mΩ,N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-01-03 標(biāo)簽:NexperiaSiC MOSFET 245 0
NSF040L3A0:1200伏,40米?,NN溝道SiC MOSFET應(yīng)用指南立即下載
類別:電子資料 2023-12-19 標(biāo)簽:SiC MOSFET 210 0
NSF080120L3A0:1200 V,80 mΩ,N溝道SiC MOSFET一般說明立即下載
類別:電子資料 2023-12-19 標(biāo)簽:SiC MOSFET 189 0
用于直流變換器的SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2023-11-30 標(biāo)簽:直流變換器驅(qū)動(dòng)電路SiC MOSFET 352 0
類別:電源技術(shù) 2018-03-13 標(biāo)簽:SiC MOSFET 1473 0
SiC MOSFET與SiC SBD換流單元瞬態(tài)模型立即下載
類別:電工論文網(wǎng) 2018-02-01 標(biāo)簽:SiC MOSFET 980 0
廣東佳訊邀您一起探究:SiC MOSFET 替代 IGBT ,這是必然走向嗎?
碳化硅MOSFET以其高開關(guān)速度、高溫工作能力和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì),在電動(dòng)汽車、太陽能逆變器等領(lǐng)域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟...
2025-01-15 標(biāo)簽:IGBTSiC MOSFET 360 0
來源:電子工程世界 SiC(碳化硅),已經(jīng)成為車企的一大賣點(diǎn)。而在此前,有車企因是否全域采用SiC MOSFET,發(fā)生激烈輿論戰(zhàn)。可見,SiC這一市場(ch...
2025-01-09 標(biāo)簽:SiC MOSFET 267 0
IFWS&SSLCHINA2024 蘇州盛大開幕,超千人齊聚探尋產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新融合新思路
2024年11月19日,第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇SSLCHINA2024)在蘇州開幕。本屆論壇由蘇州實(shí)驗(yàn)室、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術...
2024-11-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC MOSFET 587 0
車載用SiC MOSFET又增10個(gè)型號(hào),業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容!
ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器,又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET 【 關(guān)鍵詞 】 滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)...
2024-08-25 標(biāo)簽:元器件SiC MOSFET 362 0
如何更好地驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET器件?
IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓一般都是15V,而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動(dòng)電壓各品牌并不一致,15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅(qū)動(dòng)電壓...
小米SU7單電機(jī)版,400V電壓平臺(tái)的電驅(qū)供應(yīng)商為聯(lián)合汽車電子,其中搭載了來自博世的碳化硅芯片,根據(jù)調(diào)研:其中搭載了博世第二代75...
2024-04-11 標(biāo)簽:永磁電機(jī)碳化硅SiC MOSFET 1503 0
SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)在哪里
低電感電機(jī) 低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用,包括大氣隙電機(jī)、無槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用 在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī...
2024-01-16 標(biāo)簽:電機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET 390 0
全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)正在以每年10%速度增長(zhǎng)
汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)到 2022 年將達(dá)到 599 億美元,2023 年至 2032 年復(fù)合年增長(zhǎng)率 (CAGR) 為 10.3%,...
2023-12-21 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器功率器件半導(dǎo)體器件 947 0
安世半導(dǎo)體推出首款SiC MOSFET,聚焦電動(dòng)汽車充電樁等市場(chǎng)
,NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品,隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(k...
2023-12-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車充電樁SiC MOSFET 642 0
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